(X) 환경용어

하이테크 오염

반도체(IC)는 고순도 실리콘에 미량의 인 등의 불순물을 첨가, 그 표면에 미세한
전자 패턴을 지져붙여 회로를 만들어간다. 256킬로비트의 IC 칩에는 130 가지의
제조 공정이 있으며, 그중 30 정도가 세정공정이다. IC의 집적화가 진행되면 될수
록 회로의 최소 패턴은 1메가 비트에서는 1미크론 정도로 적어진다. 최소 패턴
10분의 1 정도라도 불순물이 부착되면 제품으로서 합격할 수 없으므로 세정은 대
단히 중요한 공정이 된다. 실리콘 웨하에서 유분이나 불순물을 제거하기 위해 트
리클로로에틸렌, 1,1,1-트리클로로에탄, 테트라클로로에틸렌 등의 유기용제가 사용
된다. 이러한 용제에는 발암성이나 간장, 신장에 대한 독성이 있다.
1981년에 미국 실리콘 바레에 있는 페어챠일드 사 주변에서 유기용제에 의한 지
하수 오염이 발견되었다. 그 이후 실리콘 바레에서는 IBM을 비롯하여 65개 사의
지하수 오염이 판명되었다. 원인의 대부분은 용제 저장 탱크에서의 누출이라고
보고되었다. 1985년 1월, 캘리포니아 주 정부는 실리콘 바레 주변 주민의 3년간에
걸친 건강피해 조사결과를 발표하였다. 그에 의하면 식료수가 용제로 오염된 지
구의 주민 중에서 선천 이상아 출생율, 유산 발생율은 대조 지구에 비교하여 2~3
배나 높다는 것이 밝혀졌다. 일본에서도 1983년 12월에, 도시바(東芝) 전기 공장
의 IC 세정소로부터 트리클로로에틸렌에 의한 지하수 오염이 발견되었다.
________cf. 솔벤트 중독

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